日前，Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣布推出新型20V和30V p通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mΩ ，而Vishay的Si7633DP具有3.3mΩ(在10V时)及5.5mΩ(在4.5V时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30V器件低27%(在10V时)和28%(在4.5V时)，比最接近的同类25V SO-8器件分别低28%和15%。30-V Si7135DP的导通电阻为 3.9mΩ(在10V时)和6.2mΩ(在4.5V时)，比最接近的同类器件分别低13%(在10V时)和19.5%(在4.5V 时)。
这次推出的两款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装，可容许比其它SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。
这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源|稳压器和电池电源间切换)一直处于导通状态，消耗电流。Si7633DP 和Si7135DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。
Vishay还推出了采用SO-8封装的Si4459ADY 30V p通道TrenchFET功率MOSFET。该器件具有5mΩ(在10V时)和7.75mΩ(在4.5V时)的导通电阻。此次推出的所有器件100%通过Rg和UIS认证，且不含卤素。
目前，该新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET功率MOSFET可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。
