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中芯国际推出0.11μm图像传感器制造技术

发布时间：2009-03-23 浏览次数：69 返回列表

中芯国际推出0.11μm图像传感器制造技术
2008-10-30 中国的中芯国际（SMIC）开发出了生产0.11μm CMOS图像传感器的工艺技术。其0.11μm工艺技术的布线层所用金属材料既可使用铝（Al）也可使用铜（Cu）。该公司已开始了0.11μm工艺技术的试生产，可采用200mm或300mm晶圆生产。

　　SMIC表示：“利用此次开发的工艺技术可以生产比此前分辨率更高、噪音更低和高对比度的CMOS传感器”。

（中国电子元件行业协会）